000			04917nam a2200421 i 4500
001			200467247
003			TR-AnTOB
005			20260204095022.0
007			ta
008			171111s2025 xxu e mmmm 00| 0 eng d
035			_a(TR-AnTOB)200467247
040			_aTR-AnTOB _beng _erda _cTR-AnTOB
041	0		_atur
099			_aTEZ TOBB FBE MNT YL’25 GÜL
100	1		_aGüler, Zehra Zişan _eauthor _9152256
245	1	0	_aKimyasal buhardan çöktürme sistem parametrelerinin 2B-Mo2C büyümesine etkisi: düşük ve atmosferik basınçlı sistemlerin karşılaştırmalı analizi / _cZehra Zişan Güler; thesis advisor Göknur Büke.
246	1	3	_aEffect of chemical vapor deposition system parameters on 2D-Mo2C growth: a comparative analysis of low and atmospheric pressure system
264		1	_aAnkara : _bTOBB ETÜ Fen Bilimleri Enstitüsü, _c2025.
300			_axxv, 122 pages : _billustrations ; _c29 cm
336			_atext _btxt _2rdacontent
337			_aunmediated _bn _2rdamedia
338			_avolume _bnc _2rdacarrier
502			_aTez (Yüksek Lisans)--TOBB ETÜ Fen Bilimleri Enstitüsü Aralık 2025
520			_aBu çalışmada, iki boyutlu molibden karbür (Mo2C) kristallerinin düşük basınçlı kimyasal buhardan çöktürme (DBKBÇ) sistemi kullanılarak sentezi sistematik biçimde araştırılmış, aynı zamanda atmosferik basınçlı sistem (ABKBÇ) ile doğrudan karşılaştırmalı bir çalışma yürütülmüştür. Literatürde Mo2C büyütmeleri çoğunlukla atmosferik basınç koşullarında gerçekleştirilmiş olup, düşük basınçlı sistemlerde başarılı 2B Mo2C sentezi sınırlıdır. Bu nedenle, bu çalışma düşük basınç koşullarında yüksek kaliteli Mo2C kristalleri elde edilmesini göstererek önemli bir özgün katkı sunmaktadır. Öncelikle, kuvars bileşenlerinden kaynaklanan SiO2 kontaminasyonu tespit edilerek, yeni numune geometrisiyle bu etki ortadan kaldırılmıştır. Farklı Cu kalınlıklarında (10–250 µm) yapılan büyütmelerde, literatüre paralel şekilde, Cu kalınlığının artışıyla Mo2C kristal kalınlığının azaldığı ve morfolojinin belirgin biçimde iyileştiği gözlenmiştir. Süreç karşılaştırmalarında, DBKBÇ sisteminde PR2 rotasının yüksek kristal kalitesi, düşük kontaminasyon ve homojen morfoloji açısından en uygun koşulu sağladığı belirlenmiştir. 15 dakikalık grafen ön-büyütme ve 32 dakikalık Mo2C büyütme süresi, düzenli altıgen morfolojili, ince ve yüzeyde eşit dağılmış kristallerin oluşumunu sağlamıştır. Sonuç olarak, bu çalışma düşük basınçlı sistemlerde 2B Mo2C büyümesi için referans niteliğinde bir parametre haritası oluşturmuş ve atmosferik sistemle yapılan doğrudan karşılaştırmalarla literatürde ilk kez kapsamlı bir referans ortaya koymuştur.
520			_aIn this study, the synthesis of two-dimensional molybdenum carbide (Mo2C) crystals was systematically investigated using a low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) system, while a direct comparative study was also conducted with an atmospheric-pressure CVD (APCVD) system. In the literature, Mo2C growth has been predominantly carried out under atmospheric-pressure conditions, and successful synthesis of 2D Mo2C under low-pressure conditions has been very limited. Therefore, this study provides a significant original contribution by demonstrating the successful growth of high-quality Mo2C crystals under low-pressure conditions. First, SiO2 contamination originating from quartz components was identified and eliminated through a redesigned sample geometry. In the growth experiments performed with different Cu foil thicknesses (10–250 µm), it was observed, consistent with the literature, that increasing Cu thickness led to a reduction in Mo2C crystal thickness and a noticeable improvement in morphology. Process comparisons revealed that the PR2 route in the LPCVD system provided the most favorable conditions in terms of crystal quality, low contamination, and homogeneous morphology. A 15-minute graphene pre-growth followed by a 32-minute Mo2C growth yielded uniformly distributed, thin, hexagonally shaped crystals with high structural regularity. In conclusion, this study established a reference parameter map for 2D Mo2C growth in low-pressure systems and, through direct comparison with the atmospheric-pressure system, presented the first comprehensive benchmark in the literature for such growth.
653			_aMolibden karbür
653			_aBakır
653			_aKimyasal buhardan çöktürme
653			_aBasınç
653			_aMolybdenum carbide
653			_aCopper
653			_aChemical vapor deposition
653			_aPressure
700	1		_aBüke, Göknur _9125245
710			_aTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi. _bFen Bilimleri Enstitüsü _977078
942			_cTEZ _2z
999			_c200467247 _d85459