| 000 | 01233 a2200349 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 264 |
_aAnkara : _bTOBB ETÜ Fen Bilimleri Enstitüsü, _c2016 |
||
| 999 |
_c200425243 _d25467 |
||
| 001 | 200425243 | ||
| 003 | TR-AnTOB | ||
| 005 | 20260210134044.0 | ||
| 008 | 161107s2016 tu 000 0 | ||
| 040 |
_aTR-AnTOB _cTR-AnTOB |
||
| 041 | 0 | _aeng | |
| 099 | _aTEZ TOBB FBE BİL YL'16 HAS | ||
| 100 | 1 |
_aHassan, Hasan _9116221 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aReducing dram access latency by exploiting dram leakage characteristics and common access patterns / _cHasan Hassan. |
| 300 |
_axix, 47 sayfa ; _c29 cm. |
||
| 336 |
_2rdacontent _atext _btxt |
||
| 337 |
_2rdamedia _aunmediated _bn |
||
| 338 |
_2rdacarrier _avolume _bnc |
||
| 502 | _aTez (Yüksek Lisans)--TOBB ETÜ Fen Bilimleri Enst. Ağustos 2016 | ||
| 504 | _aIncludes bibliographical references. | ||
| 650 | 0 | 0 |
_932546 _aTezler, Akademik |
| 650 | 0 | 0 |
_aDissertations, Academic _932543 |
| 653 | _aBellek sistemleri | ||
| 653 | _aDevingen rastgele erişimli bellek | ||
| 653 | _aMemory systems | ||
| 653 | _aDynamic random access memory (Dram) | ||
| 710 | 2 |
_aTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi. _bFen Bilimleri Enstitüsü _977078 |
|
| 856 | _ahttps://tez.yok.gov.tr/ | ||
| 942 |
_cTEZ _2z |
||